21世紀半導體制造工藝展望
一、新工藝即將出現(xiàn)
首先，技術的飛速進步已經(jīng)超過了人們的想像，130nm（0.13微米）制程將在2001年正式啟用，并非1999年預測時的2002年。從0.18微米過渡到0.13微米不到兩年時間，由此可推斷0.1微米制造最早會在2003年初出現(xiàn)。不過，上述推測并沒有包括實際制造環(huán)境對技術發(fā)展帶來的影響，在現(xiàn)實世界中，引入一個新制程是非常困難的事情。不僅需要大量資金和設備，重新建造合適的廠房也需要一段時間，英特爾花了三年和近10億美元才研制出奔騰4，由此可見一斑。
僅僅提高電路平版印刷技術還不足夠，掩模科技也需要有突破，才能在設計和測試中，減少度量錯誤。此外，對于技術發(fā)展階段的命名也有大量的爭議，為了更精確地反映半導體技術的突破點，SC 2.0把0.1微米（100nm）制程改進為0.091微米（91nm）。
再次，技術生產(chǎn)工具的變化大得令人吃驚，每月生產(chǎn)10萬單位IC（integrate circuit，集成電路）芯片已經(jīng)是很平常的事，技術改革周期也縮短至三個月。按照上述發(fā)展速度，65nm、45nm、33nm、22nm制程將分別在2007、2010、2013、2016年出現(xiàn)。
新工藝的進步促使了術語的改變，過去我們常用0.18、0.13mm（micron metric，微米），以后就要把單位改成nm（nanometer metric，納米、毫微米、十億分之一米），如：0.18微米 = 180納米，0.13微米 = 130納米，避免術語不同造成的混淆。
二、ITRS SC 2.0
1992-1997年的ITRS由美國SIA（Semiconductor Industry Association，半導體工業(yè)協(xié)會）來制訂，1999/2000年分為了五部分：美國、歐洲、日本、韓國和臺灣，共同合作來推出新預測，而且發(fā)展信息包括了平版印刷、設計、測試和處理整合等12個ITWG（international technology working groups，國際技術工作組）的意愿，準確率比以前大為提高。
ITRS SC 2.0最重要的改變是加入了物理端MPU/ASIC門電路長度的預測，而不再是僅僅提任可印刷門電路長度的數(shù)據(jù)，它主要為微處理器制造商/高性能ASIC制造商服務，讓英特爾、AMD等公司了解到可印刷縮版和蝕刻版畫的種類。ITRS變得越復雜，越能反映實現(xiàn)，比如：130nm讓半導體制造商可以生產(chǎn)出幾種不同的晶體管：經(jīng)過優(yōu)化的用于高速設備，普通型用于手機，低能耗型的用于PDA。
三、發(fā)展不足之處
半導體制造工藝之所以能夠飛速成發(fā)展，原因是光學平版印刷的發(fā)展超過預期，基于KrF激光的248nm設備擁有光學接近修正、相位跳轉(zhuǎn)掩模和改良的抗阻，很容易擴寬整個產(chǎn)品線。不過，到了100nm時代，248nm掃描器必須被193nm波長的Arf激光設備所取代，而193nm平版印刷工具還沒成熟，甚至連透鏡建造層、鈣氟化物等基本的原料也未能充足供應，制成品的質(zhì)量亦未能如意。至于157nm氟激光平版印刷，更是遙遠的事情，也許要到70nm制程才能初出茅廬。
第二個發(fā)展緩慢的領域是門電路氧化物原材料，從純凈的二氧化硅變成氧氮化物（SiO2膜層涂上氮），其處理過程十分復雜，僅有少量公司能生產(chǎn)，而且并非完全純凈，還殘流了鉿氧化物或鋯氧化物。唯一令人欣慰的是，氧氮化物的發(fā)熱量比二氧化硅少一些，適合制造高速芯片。下一個ITRS發(fā)展會議將在2001年春季的法國格勒諾布爾舉行，希望到時能有所改進。