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利用“明膠封裝”制作50μm×50μm壓力傳感器

http://m.sctbjc8881898.com 2015年09月19日        

  •  日經(jīng)BP社2006年1月26日報(bào)道 臺灣淡江大學(xué)機(jī)械電機(jī)工程系開發(fā)成功了尺寸為50μm×50μm的小型壓力傳感器芯片,在日前召開的“MEMS2006”會(huì)議上進(jìn)行了發(fā)表(論文編號:MP28)。通過對壓力傳感器部分的薄膜形成手法進(jìn)行改進(jìn),實(shí)現(xiàn)了小型化。同時(shí)還使用明膠對傳感器部分進(jìn)行了封裝。這種壓力傳感器可用于生物相關(guān)領(lǐng)域。

      此次開發(fā)的工藝在傳感器部分的薄膜中使用了SiO2層,在生產(chǎn)過程中支撐薄膜的犧牲層中使用了金屬層,在檢測壓力的傳感器壓電電阻中使用了多晶硅。全部均可采用臺積電雙層多晶硅四層金屬的CMOS工藝形成。在SiO2層的一部分中切出孔,并形成過孔,然后就能利用后續(xù)的蝕刻工藝去除犧牲層和過孔金屬。犧牲層去除后,位于犧牲層下方的硅底板也需進(jìn)行蝕刻處理,以使壓電電阻部分能除壓力而變化。金屬和硅底板的蝕刻采用的是普通蝕刻材料。

      封閉帶孔薄膜的工藝使用的是不同于CMOS的其他工藝。具體來說,就是從切孔中填入蛋白質(zhì)明膠,將薄膜的下部空間填充上。只需利用旋涂法涂布液態(tài)明膠就行了。通過填充明膠,能夠排除外部環(huán)境的干擾。壓力靈敏度為8.56±0.13mv/V/psi,高于過去的壓電電阻型壓力傳感器。

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