Micron發布其高密度系列的塊抽象化NAND閃存

日前，Micron(美光)科技股份有限公司公布其高密度系列的塊抽象化(BA) NAND閃存，可用于個人媒體播放機和其他應用中。BA NAND是個單封裝解決方案，使用美光業內領先的34納米工藝技術 - 將MLC NAND與一個內存控制器相結合，無需對控制器/系統進行費力的重設計即可采用后續世代的NAND。

　　當前，多數NAND閃存的主控制器的任務是管理關鍵的NAND功能，例如塊管理和損耗均衡算法，以及提供足夠的錯誤校正代碼(ECC)覆蓋以確保系統穩定性。但是，由于這些功能隨著每一代的NAND變得更加先進，設計者必須跟上最新的創新以使他們的芯片組恰當地管理NAND并確保系統運作穩定。

　　美光的BA NAND使設計者通過很少的更改從原始的NAND轉移到一個管理型解決方案。它使用自己的內嵌控制器，使主芯片組不用負擔NAND的管理，使系統制造商跟上NAND的技術創新并縮短其上市時間。

　　BA NAND的益處包括：

　　·易于設計：由于BA NAND使主控制器/系統設計者不用負擔NAND的管理，與目前標準的“原始”NAND實施相比較，系統集成以大幅簡化。

　　·兼容性：BA NAND采用業內標準的LGA-52封裝，符合ONFI 1.0規范。

　　·具成本效益的解決方案：開發者現在能夠減少與重新設計芯片組以適應新的NAND技術變化相關聯的研發和硅成本。

　　·高容量：美光當前試驗生產8GB 和 16GB的BA NAND，該系列支持嵌入式應用不斷增加的數據密集型存儲要求。

　　供貨情況

　　美光當前試驗生產8GB 和 16GB的BA NAND。公司計劃在2009年末擴大供貨。